سامانه بازاریابی فایل های دانشجوئی

جستجو پیشرفته فایلهای دانشجویی از سایت های مختلف علمی ایران

سامانه بازاریابی فایل های دانشجوئی

جستجو پیشرفته فایلهای دانشجویی از سایت های مختلف علمی ایران

تحقیق Flash Memory چیست


لینک دریافت خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش اماده پرینت )

تعداد : 11 صفحه


 قسمتی متن : 

 

Flash Memory چیست؟

حافظه الکترونیکی انواع گوناگون مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه فلش دلیل سرعت بالای انها ثبت اطلاعات همچنین استفاده فوق العاده اسان بسیار پر فروش پر طرف دار باشند . رو دوربین دیجیتالی ، تلفن سایر دستگاه شاهد استفاده روز افزون انها هستیم .

 

شیوه ذخیره اطلاعات نوع حافظه بسیار شبیه ذخیره اطلاعات RAM باشد . حقیقت حافظه فلش نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل کند . معنی انها هیچ قطعه متحرکی کار نرفته تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام شود . مقابل درون دیسک سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد وضع خود اسیب پذیر بودن گونه حافظه نسبت حافظه فلش نشان دهد .

قطعاتی قبیل تراشه BIOS ، حافظه فلش متراکم شده دوربین دیجیتالی کار روند ، حافظه هوشمند ، Memory Stick کارت حافظه کنسول بازی کار روند همه همه نوع حافظه استفاده کنند .

در قسمت فن اوری زیر ساخت نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه فلش تراشه EEPROM ساخته شده اند . همان طور مقالات قبلی ذکر گونه حافظه ذخیره حذف اطلاعات توسط جریان الکتریکی صورت پذیرد . گونه تراشه داخل سطر ستون مختلف شبکه منظم پدید اورند . شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر ستون مختص خود بوده اصطلاح هر کدام بخش یک سلول حافظه نامیده شود . هر کدام سلول ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده هر کدام سلول توسط لایه اکسید دیگر سلول جدا باشد . درداخل سلول دو ترانزیستور معروف نام Floating gate Control gate استفاده شود . Floating gate خط ارتباطی سطر متصل بوده زمانی ارتباط بین دو ترانزیستور برقرار باشد ، سلول دارای ارزش ١ باشد . سلول توانند دارای ارزش ١ ٪ باشند .

● Tunneling :

این روش تغییر دادن مکان الکترون ایجاد شده Floating gate بکار رود . اغلب سیگنال شارژ الکترونیکی بین ١٪ ١٣ ولت باشند میزان توسط Floating gate استفاده شود . زمان Tunneling میزان توسط ستون Floating gate گذشته زمین منتقل شود . سیگنال باعث شود ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . تفنگ الکترونی ، الکترون خارج لایه اکسید شده رانده بدین ترتیب باعث بین رفتن انها شود .

در اینجا واحد مخصوصی نام حسگر سلول وارد عمل شده عمل Tunneling مقدارش ثبت کند . اگر مقدار سیگنال میان دو ترانزیستور گذرد کمتر نصف استانه حساسیت حسگر باشد ، سلول ارزش گذاری رقم ٪ ثبت شود . ذکر نکته ضروری سلول حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .

با توضیحات ممکن فکر کنید درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه رادیویی علاقه شما نوعی حافظه اسم Flash ROM ذخیره شود . البته نحوه ثبت نگهداری اطلاعات نوع حافظه کلی Flash memory فرق کند . نوع حافظه نگهداری اطلاعات یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . صورتی حافظه فلش بدون نیاز منبع خارجی اطلاعات ثبت ضبط کنند .

زمانی شما اتومبیل خود خاموش کنید جریان بسیار کمی سمت حافظه جریان همین جریان بسیار کم حفظ اطلاعات شما کافی باشد . ولی تمام شدن باتری خودرو جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده بین رود .

امروزه فن اوری ، انقدر سریع توسعه یابد چند سال دیگر قادر ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت فضایی اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . اکنون حافظه ابعاد بسیار کوچک ظرفیت گوناگون دسترس همه قرار .

فلش مموری

حافظه الکترونیکی انواع گوناگون مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه فلش دلیل سرعت بالای انها ثبت اطلاعات همچنین استفاده فوق العاده اسان بسیار پر فروش پر طرف دار باشند . رو دوربین دیجیتالی ، تلفن سایر دستگاه شاهد استفاده روز افزون انها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات نوع حافظه بسیار شبیه ذخیره اطلاعات RAM باشد . حقیقت حافظه فلش نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل کند . معنی انها هیچ قطعه متحرکی کار نرفته تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام شود . مقابل درون دیسک سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد وضع خود اسیب پذیر بودن گونه حافظه نسبت حافظه فلش نشان دهد . قطعاتی قبیل تراشه BIOS ، حافظه فلش متراکم شده دوربین دیجیتالی کار روند ، حافظه هوشمند ، Memory Stick کارت حافظه کنسول بازی کار روند همه همه نوع حافظه استفاده کنند . قسمت فن اوری زیر ساخت نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه فلش تراشه EEPROM ساخته شده اند . همان طور مقالات قبلی ذکر گونه حافظه ذخیره حذف اطلاعات توسط جریان الکتریکی صورت پذیرد .


نظرات 0 + ارسال نظر
امکان ثبت نظر جدید برای این مطلب وجود ندارد.